试卷总分:100 得分:100
一、单选题 (共 10 道试题,共 30 分)
1.稳压二极管构成的稳压电路,其接法是 ( * )
A.稳压管与负载电阻串联
B.稳压管与负载电阻并联
C.限流电阻与稳压管串联后,负载电阻再与稳压管串联
D.限流电阻与稳压管串联后,负载电阻再与稳压管并联
2.一个单管共射放大电路如果通过电阻引入负反馈,则( * )。
A.一定会产生高频自激
B.可能产生高频自激馈
C.一般不会产生高频自激
D.一定不会产生高频自激
3.放大器的输入电阻高,表明其放大微弱信号能力( * )
A.强
B.弱
C.一般
4.通用型集成运放的输入级多采用()
A.共基接法
B.共集接法
C.共射接法
D.差分接法
5.输入失调电压UIO 是( * )
A.两个输入端电压之差
B.输入端都为零时的输出电压
C.输出端为零时输入端的等效补偿电压。
6.功率放大电路的效率是指( * )
A.输出功率与晶体管所消耗的功率之比
B.负载得到的有用信号功率和电源供给的直流功率的比值
C.晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比
7.对于基本共射放大电路的特点,其错误的结论是()
A.输出电压与输入电压相位相同
B.输入电阻,输出电阻适中
C.电压放大倍数大于 1
D.电流放大倍数大于 1
8.正弦波振荡器的振荡频率由( * )而定
A.基本放大器
B.反馈网络
C.选频网络
9.在NPN共射放大电路中,当Ib较小时,可能产生的失真是
A.饱和失真
B.截止失真
C.为正弦波
D.为余弦波
10.正弦波振荡电路的基本组成包括( )
A.基本放大器和正反馈网络
B.基本放大器和选频网络
C.基本放大器和负反馈网络
D.基本放大器、正反馈网络、选频网络、稳幅电路
二、多选题 (共 10 道试题,共 30 分)
11.振荡电路的平衡条件是( * ),( * )反馈才能满足振荡电路的相位平衡条件
A.AF=1
B.正
C.负
D.AF=2
12.当集成运放线性工作时,在两条分析依据( * )( * )
A.U-=U+
B.I-=I+=0
C.Uo=Ui
D.Au=1
13.对功率放大器的主要要求有( * ) ( * )( * )
A.Uo高
B.Po大
C.效率高
D.Ri大
E.波形不失真
14.直流电源由( * )部分组成
A.直流电源由整流
B.滤波
C.稳压三部分组成
D.放大电路
15.在整流电路的输入电压相等的情况下,半波、全波、桥式三种整流电路中,输出电压平均值最低的是( * )整流电路,二极管承受反向电压最高的是( * ) 整流电路。
A.半波
B.全波
C.比例
16.桥式整流电路在接入电容滤波后,二极管的导电角()
A.增大了
B.减少了
C.保持不变
D.任意角
17.差动放大电路用恒流源代替公共射极电阻RE,可以使电路的()电压放大倍数降低,() 提高。
A.共模
B.共模抑制比
C.放大
D.供模增加比
18.两级放大电路的第一级电压放大倍数为100,即电压增益为()dB,第二级电压增益为26dB,则两级总电压增益为()dB
A.20
B.25
C.46
D.48
19.如希望减小放大电路从信号源索取的电流,则可采用( * );信号源内阻很大,希望取得较强的反馈作用,则宜采用( * );如希望负载变化时输出电压稳定,则应引入( * )。
A.电流负反馈
B.电压负反馈
C.并联负反馈
D.串联负反馈
20.模拟集成电路大多数采用直接耦合是因为(),集成电路制造工艺使它制造出来的晶体管、电阻等元器件参数误差大,但误差的()好。
A.不易制作大电容量的电容
B.一致性
C.规范性
三、判断题 (共 20 道试题,共 40 分)
21.为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用共集放大电路
22.微变(小信号)等效电路法只适用于输入为微弱信号的情况
23.RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和反相比例运算电路
24.电源滤波中用的电容一般都是电解电容,使用时应将电容的正极接高电位,负极接低电位。
25.电容滤波电路适用于小负载电流,而电感滤波电路适用于大负载电流
26.增强型MOS管也可以采用与结型场效应管同样的两种偏置方式
27.静态工作点是静态时,在晶体管的输入特性和输出特性上所对应的工作点,用Q表示。
28.为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器,应选用阻止滤波电路
29.耗尽型MOS管不能采用自偏压方式
30.同相求和电路跟同相比例电路一样,各输入信号的电流几乎等于零。
31.选用差分放大电路的原因是电源电压不稳定
32.整流电路可将正弦电压变为脉动的直流电压
33.欲将正弦波电压叠加上一个直流量,应选用积分运算电路
34.某电路有用信号频率为2kHz, 可选用带阻滤波器
35.UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有结型管
36.增强型场效应管是指一种金属-氧化物-半导体场效应晶体管,在其栅压为零时漏极电流为零,即没有导电沟道。依靠外加栅压的正向增加,形成感生沟道,使漏极电流逐渐增加。这种导电沟道从无到有的过程称为增强
37.结型场效应管通常可采用两种直流偏置电路,即自偏压方式和分压式自偏压电路
38.结型场效应晶体管通常采用两种偏置方式,即自偏压式和栅极分压式
39.阻容耦合放大电路的下限频率受耦合电容和旁路电容影响,其中耦合电容的影响更大些
40.结型场效应管利用删源极间所加的正偏电压来改变导电沟道的电阻